В исследовательской группе по изучению чешуйчатого графена, работающей в Лукашевичском институте микроэлектроники и фотоники (IMiF), был создан бренд материалов, связанных с чешуйчатым графеном, под названием G-Flake.

Графен, над которым сейчас работают ученые из Лукашевича, принципиально отличается от графена, о котором много говорили несколько лет назад, подчеркивает Лукашевич из IMiF.

Эпитаксиальный графен образуется в результате химических процессов, которые позволяют «отслаивать» отдельные слои графита — материала, из которого формируется эпитаксиальный графен. Чаще всего эпитаксиальный графен создается путем осаждения атомов углерода из газовой фазы на соответствующим образом подготовленную подложку, например медь или карбид кремния.

«Мы можем создавать различные формы таких материалов, включая оксид графена, восстановленный оксид графена, пасту из оксида графена и так называемую графеновую бумагу», говорит д-р Адриан Хланда, руководитель исследовательской группы по изучению чешуйчатого графена в Лукасевич — IMiF.

Применение этой технологии возможно в очень многих областях. Это и оборона, и медицина, и автомобильная промышленность. В настоящее время ведутся работы по использованию чешуйчатого графена для хранения энергии или в качестве барьерного слоя для использования в водородных баллонах.